2SCR583D3FRATL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 217+ | 56.99 грн |
| 235+ | 52.59 грн |
| 256+ | 48.28 грн |
| 264+ | 45.14 грн |
| 500+ | 40.20 грн |
| 1000+ | 37.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR583D3FRATL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SCR583D3FRATL за ціною від 59.78 грн до 279.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SCR583D3FRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SCR583D3FRATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SCR583D3FRATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SCR583D3FRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SCR583D3FRATL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT TO-252 50V 7A NPN PWR TRANS |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SCR583D3FRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |