2SCR583D3TL1 Rohm Semiconductor


2scr583d3tl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
170+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR583D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SCR583D3TL1 за ціною від 37.69 грн до 155.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr583d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.17 грн
127+111.94 грн
250+107.44 грн
500+99.87 грн
1000+89.46 грн
2500+83.34 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr583d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+132.01 грн
179+79.09 грн
246+57.52 грн
260+52.63 грн
500+45.57 грн
1000+41.11 грн
2500+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.76 грн
10+96.19 грн
100+65.17 грн
500+48.68 грн
1000+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 50V 7A, Power Transistor
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 ROHM datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 ROHM 2scr583d3tl-e.pdf Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2scr583d3tl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
121+117.17 грн
127+111.94 грн
250+107.44 грн
500+99.87 грн
1000+89.46 грн
2500+83.34 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2scr583d3tl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
108+132.01 грн
179+79.09 грн
246+57.52 грн
260+52.63 грн
500+45.57 грн
1000+41.11 грн
2500+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+155.76 грн
10+96.19 грн
100+65.17 грн
500+48.68 грн
1000+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 50V 7A, Power Transistor
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2scr583d3tl-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.