Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR583D3TL1
2SCR583D3TL1

2SCR583D3TL1 Rohm Semiconductor

2scr583d3tl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
170+71.77 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR583D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 7A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SCR583D3TL1 за ціною від 32.35 грн до 171.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 Виробник : ROHM datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.85 грн
500+59.69 грн
1000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr583d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+100.59 грн
127+96.10 грн
250+92.24 грн
500+85.74 грн
1000+76.80 грн
2500+71.55 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr583d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
108+113.33 грн
179+67.90 грн
246+49.38 грн
260+45.18 грн
500+39.12 грн
1000+35.30 грн
2500+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 Виробник : ROHM datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.71 грн
10+103.74 грн
100+71.42 грн
500+53.30 грн
1000+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.81 грн
10+101.77 грн
100+68.95 грн
500+51.51 грн
1000+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 50V 7A, Power Transistor
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.56 грн
10+108.96 грн
25+93.99 грн
100+64.43 грн
250+64.28 грн
500+51.47 грн
1000+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.