Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR583D3TL1
2SCR583D3TL1

2SCR583D3TL1 Rohm Semiconductor

2scr583d3tl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
170+86.39 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 170 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR583D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SCR583D3TL1 за ціною від 38.95 грн до 168.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr583d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+121.09 грн
127+115.68 грн
250+111.03 грн
500+103.21 грн
1000+92.45 грн
2500+86.13 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr583d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+136.42 грн
179+81.73 грн
246+59.44 грн
260+54.38 грн
500+47.09 грн
1000+42.49 грн
2500+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.15 грн
10+98.28 грн
100+66.59 грн
500+49.74 грн
1000+45.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT Transistor, NPN, TO-252 (DPAK), 50V 7A, Power
на замовлення 606 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+168.17 грн
10+106.19 грн
100+62.31 грн
500+49.62 грн
1000+45.49 грн
2500+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 ROHM datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 ROHM datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2scr583d3tl-e.pdf
2SCR583D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
121+121.09 грн
127+115.68 грн
250+111.03 грн
500+103.21 грн
1000+92.45 грн
2500+86.13 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 2scr583d3tl-e.pdf
2SCR583D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
108+136.42 грн
179+81.73 грн
246+59.44 грн
260+54.38 грн
500+47.09 грн
1000+42.49 грн
2500+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR583D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.15 грн
10+98.28 грн
100+66.59 грн
500+49.74 грн
1000+45.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR583D3TL1
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Transistor, NPN, TO-252 (DPAK), 50V 7A, Power
на замовлення 606 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.17 грн
10+106.19 грн
100+62.31 грн
500+49.62 грн
1000+45.49 грн
2500+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR583D3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1 datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR583D3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.