Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR586D3TL1
2SCR586D3TL1

2SCR586D3TL1 Rohm Semiconductor

2scr586d3tl1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
162+87.84 грн
169+83.92 грн
250+80.55 грн
500+74.87 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR586D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SCR586D3TL1 за ціною від 30.71 грн до 104.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR586D3TL1 2SCR586D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr586d3tl1-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.84 грн
169+83.92 грн
250+80.55 грн
500+74.87 грн
1000+67.06 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1 2SCR586D3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR586D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 80V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.06 грн
10+62.53 грн
100+41.67 грн
500+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1 2SCR586D3TL1 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=2SCR586D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 5A
Power dissipation: 10W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 120...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.47 грн
10+61.27 грн
100+41.46 грн
250+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1 2SCR586D3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR586D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1 2SCR586D3TL1 ROHM datasheet?p=2SCR586D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1 2SCR586D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr586d3tl1-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1 2SCR586D3TL1 ROHM datasheet?p=2SCR586D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1 2scr586d3tl1-e.pdf
2SCR586D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
162+87.84 грн
169+83.92 грн
250+80.55 грн
500+74.87 грн
1000+67.06 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1 datasheet?p=2SCR586D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR586D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.06 грн
10+62.53 грн
100+41.67 грн
500+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1 datasheet?p=2SCR586D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR586D3TL1
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 5A
Power dissipation: 10W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 120...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+104.47 грн
10+61.27 грн
100+41.46 грн
250+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1 datasheet?p=2SCR586D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR586D3TL1
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1 datasheet?p=2SCR586D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR586D3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1 2scr586d3tl1-e.pdf
2SCR586D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1 datasheet?p=2SCR586D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR586D3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.