2SCR586D3TL1 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 47.61 грн |
| 500+ | 36.21 грн |
| 1000+ | 31.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR586D3TL1 ROHM
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SCR586D3TL1 за ціною від 25.64 грн до 120.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SCR586D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR586D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR586D3TL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 120...390 Collector current: 5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 10W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252 Frequency: 200MHz |
на замовлення 643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR586D3TL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE |
на замовлення 4227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR586D3TL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR586D3TL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 120...390 Collector current: 5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 10W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252 Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 643 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR586D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 5A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 1449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR586D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2SCR586D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2SCR586D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 5A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
товару немає в наявності |