2SCR586D3TL1 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 228+ | 62.62 грн |
| 250+ | 60.11 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
228 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR586D3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SCR586D3TL1 за ціною від 27.54 грн до 145.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SCR586D3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252 Collector-emitter voltage: 80V Power dissipation: 10W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 120...390 Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252 Frequency: 200MHz Collector current: 5A Mounting: SMD |
на замовлення 206 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SCR586D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 5A TO-252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 1977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SCR586D3TL1 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE |
на замовлення 2777 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SCR586D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SCR586D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SCR586D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SCR586D3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
2SCR586D3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SCR586D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 10W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 120...390
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Frequency: 200MHz
Collector current: 5A
Mounting: SMD
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 10W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 120...390
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Frequency: 200MHz
Collector current: 5A
Mounting: SMD
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 98.65 грн |
| 6+ | 72.38 грн |
| 10+ | 65.03 грн |
| 100+ | 37.96 грн |
| 2SCR586D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 5A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Description: TRANS NPN 80V 5A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 101.81 грн |
| 10+ | 61.95 грн |
| 100+ | 41.14 грн |
| 500+ | 30.24 грн |
| 1000+ | 27.54 грн |
| 2SCR586D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.62 грн |
| 10+ | 70.48 грн |
| 100+ | 40.66 грн |
| 500+ | 31.89 грн |
| 1000+ | 29.03 грн |
| 2500+ | 28.96 грн |
| 2SCR586D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 119.91 грн |
| 10+ | 82.17 грн |
| 100+ | 60.04 грн |
| 500+ | 44.12 грн |
| 1000+ | 35.07 грн |
| 2SCR586D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 119+ | 119.91 грн |
| 174+ | 82.17 грн |
| 238+ | 60.04 грн |
| 500+ | 44.12 грн |
| 1000+ | 35.07 грн |
| 2SCR586D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 124+ | 145.11 грн |
| 2SCR586D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SCR586D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






