Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR586JFRGTLL
2SCR586JFRGTLL

2SCR586JFRGTLL Rohm Semiconductor

2scr586jfrgtll-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+212.69 грн
10+152.40 грн
100+112.26 грн
500+76.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR586JFRGTLL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263AB, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SCR586JFRGTLL за ціною від 76.14 грн до 215.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR586JFRGTLL 2SCR586JFRGTLL Rohm Semiconductor 2scr586jfrgtll-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+212.69 грн
93+152.40 грн
126+112.26 грн
500+76.14 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLL 2SCR586JFRGTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR586JFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 80V 5A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: LPTL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.55 грн
10+134.35 грн
100+92.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLL 2SCR586JFRGTLL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR586JFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 40W TO-263AB
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLL 2SCR586JFRGTLL ROHM datasheet?p=2SCR586JFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLL 2SCR586JFRGTLL ROHM datasheet?p=2SCR586JFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLL 2scr586jfrgtll-e.pdf
2SCR586JFRGTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
67+212.69 грн
93+152.40 грн
126+112.26 грн
500+76.14 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLL datasheet?p=2SCR586JFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR586JFRGTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 5A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: LPTL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.55 грн
10+134.35 грн
100+92.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLL datasheet?p=2SCR586JFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR586JFRGTLL
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 40W TO-263AB
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLL datasheet?p=2SCR586JFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR586JFRGTLL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLL datasheet?p=2SCR586JFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR586JFRGTLL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.