2SCR586JFRGTLL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 151+ | 80.81 грн |
| 160+ | 76.16 грн |
| 184+ | 66.16 грн |
| 200+ | 60.91 грн |
| 500+ | 56.22 грн |
| 1000+ | 49.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR586JFRGTLL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SCR586JFRGTLL за ціною від 62.84 грн до 224.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SCR586JFRGTLL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-263AB Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SCR586JFRGTLL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 40W TO-263AB |
на замовлення 586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SCR586JFRGTLL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-263AB Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SCR586JFRGTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 5A LPTL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: LPTL Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SCR586JFRGTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 5A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: LPTL Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |