2SCR586JGTLL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 5A TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-263AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR586JGTLL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SCR586JGTLL за ціною від 63.26 грн до 196.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SCR586JGTLL | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2SCR586JGTLL | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 5A TO-263ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-263AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
2SCR586JGTLL | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR 80V, 5A, TO-263AB NPN |
на замовлення 1391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
2SCR586JGTLL | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
2SCR586JGTLL | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
2SCR586JGTLL | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 33 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
2SCR586JGTLL | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 79 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
2SCR586JGTLL | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SCR586JGTLL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 112+ | 126.59 грн |
| 127+ | 111.81 грн |
| 2SCR586JGTLL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 5A TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-263AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 80V 5A TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-263AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 196.83 грн |
| 10+ | 122.23 грн |
| 100+ | 83.82 грн |
| 500+ | 63.26 грн |
| 2SCR586JGTLL |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR 80V, 5A, TO-263AB NPN
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR 80V, 5A, TO-263AB NPN
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SCR586JGTLL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SCR586JGTLL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SCR586JGTLL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SCR586JGTLL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SCR586JGTLL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




