Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR586JGTLL
2SCR586JGTLL

2SCR586JGTLL Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SCR586J&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 5A TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-263AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR586JGTLL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SCR586JGTLL за ціною від 47.63 грн до 205.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SCR586JGTLL 2SCR586JGTLL ROHM 2scr586jfrgtll-e.pdf Description: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.20 грн
500+67.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLL 2SCR586JGTLL Rohm Semiconductor 2scr586jfrgtll-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+126.88 грн
127+112.06 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLL 2SCR586JGTLL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR586J&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR 80V, 5A, TO-263AB NPN
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.68 грн
10+111.94 грн
100+69.72 грн
500+59.16 грн
1000+53.50 грн
2000+48.74 грн
5000+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLL 2SCR586JGTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR586J&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 80V 5A TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-263AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.26 грн
10+122.50 грн
100+84.01 грн
500+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLL 2SCR586JGTLL ROHM datasheet?p=2SCR586J&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.38 грн
10+132.09 грн
100+82.15 грн
500+64.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLL 2SCR586JGTLL Rohm Semiconductor 2scr586jfrgtll-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLL 2SCR586JGTLL Rohm Semiconductor 2scr586jfrgtll-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLL 2scr586jfrgtll-e.pdf
2SCR586JGTLL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+90.20 грн
500+67.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLL 2scr586jfrgtll-e.pdf
2SCR586JGTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
112+126.88 грн
127+112.06 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLL datasheet?p=2SCR586J&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR586JGTLL
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR 80V, 5A, TO-263AB NPN
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+191.68 грн
10+111.94 грн
100+69.72 грн
500+59.16 грн
1000+53.50 грн
2000+48.74 грн
5000+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLL datasheet?p=2SCR586J&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR586JGTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 5A TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-263AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+197.26 грн
10+122.50 грн
100+84.01 грн
500+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLL datasheet?p=2SCR586J&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR586JGTLL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+205.38 грн
10+132.09 грн
100+82.15 грн
500+64.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLL 2scr586jfrgtll-e.pdf
2SCR586JGTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLL 2scr586jfrgtll-e.pdf
2SCR586JGTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.