Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR587D3TL1
2SCR587D3TL1

2SCR587D3TL1 ROHM SEMICONDUCTOR

datasheet?p=2SCR587D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 3A; 10W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 3A
Power dissipation: 10W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 120
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 4535 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+42.57 грн
300+35.57 грн
500+34.83 грн
1000+30.78 грн
4000+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 136 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR587D3TL1 ROHM SEMICONDUCTOR

Description: ROHM - 2SCR587D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SCR587D3TL1 за ціною від 40.44 грн до 172.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR587D3TL1 2SCR587D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr587d3tl1-e.pdf Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+132.56 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1 2SCR587D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr587d3tl1-e.pdf Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.53 грн
10+105.70 грн
100+78.35 грн
500+62.22 грн
1000+51.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1 2SCR587D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr587d3tl1-e.pdf Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.53 грн
135+105.70 грн
182+78.35 грн
500+62.22 грн
1000+51.97 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1 2SCR587D3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR587D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 120V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.81 грн
10+96.04 грн
100+65.04 грн
500+48.58 грн
1000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1 2SCR587D3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR587D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 120V 3A, Power Transistor
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+172.35 грн
10+108.49 грн
100+63.55 грн
500+50.90 грн
1000+46.22 грн
2500+42.56 грн
5000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1 2SCR587D3TL1 ROHM 2scr587d3tl1-e.pdf Description: ROHM - 2SCR587D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1 2SCR587D3TL1 ROHM 2scr587d3tl1-e.pdf Description: ROHM - 2SCR587D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1 2scr587d3tl1-e.pdf
2SCR587D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+132.56 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1 2scr587d3tl1-e.pdf
2SCR587D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+145.53 грн
10+105.70 грн
100+78.35 грн
500+62.22 грн
1000+51.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1 2scr587d3tl1-e.pdf
2SCR587D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+145.53 грн
135+105.70 грн
182+78.35 грн
500+62.22 грн
1000+51.97 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1 datasheet?p=2SCR587D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR587D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 120V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+155.81 грн
10+96.04 грн
100+65.04 грн
500+48.58 грн
1000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1 datasheet?p=2SCR587D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR587D3TL1
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 120V 3A, Power Transistor
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+172.35 грн
10+108.49 грн
100+63.55 грн
500+50.90 грн
1000+46.22 грн
2500+42.56 грн
5000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1 2scr587d3tl1-e.pdf
2SCR587D3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR587D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1 2scr587d3tl1-e.pdf
2SCR587D3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR587D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.