2SD1047 STMicroelectronics
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 94+ | 130.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1047 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - 2SD1047 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 12 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 12A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 20MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції 2SD1047 за ціною від 141.36 грн до 458.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SD1047 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
2SD1047 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - 2SD1047 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 12 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 12A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 20MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
2SD1047 Код товару: 82305
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN Uceo,V: 140 V Ucbo,V: 160 V Ic,A: 12 A |
товару немає в наявності
|
||||||
 |
2SD1047 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||
| 2SD1047 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
||||||
 |
2SD1047 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 140V 12A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 100 W |
товару немає в наявності |
|||||
 |
2SD1047 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
товару немає в наявності |