Інші пропозиції 2SD1047 за ціною від 151.22 грн до 448.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SD1047 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SD1047 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SD1047 | EVVO |
Description: 140V/12A, AF 60W OUTPUT APPLICATPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 0.5A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-3PN Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 120 W |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SD1047 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - 2SD1047 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 12 A, 100 W, TO-3P, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 12A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 20MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SD1047 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 94+ | 151.22 грн |
| 2SD1047 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 176.50 грн |
| 2SD1047 |
![]() |
Виробник: EVVO
Description: 140V/12A, AF 60W OUTPUT APPLICAT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 0.5A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-3PN
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 120 W
Description: 140V/12A, AF 60W OUTPUT APPLICAT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 0.5A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-3PN
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 120 W
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 448.91 грн |
| 30+ | 245.76 грн |
| 120+ | 204.73 грн |
| 2SD1047 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - 2SD1047 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 12 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 20MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - 2SD1047 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 12 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 20MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





