2SD1060S-1E ON Semiconductor
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 231+ | 53.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1060S-1E ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 5A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1.75 W.
Інші пропозиції 2SD1060S-1E за ціною від 42.94 грн до 162.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD1060S-1E | Виробник : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SD1060S-1E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 5A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 4892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SD1060S-1E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 17500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
2SD1060S-1E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 17500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |