Продукція > ONSEMI > 2SD1060S-1E

2SD1060S-1E onsemi


2SD1060_D-3538092.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+146.58 грн
10+70.34 грн
100+54.61 грн
600+43.49 грн
1200+36.93 грн
5400+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1060S-1E onsemi

Description: TRANS NPN 50V 5A TO-220-3, Power - Max: 1.75 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Frequency - Transition: 30MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції 2SD1060S-1E за ціною від 40.28 грн до 152.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SD1060S-1E 2SD1060S-1E onsemi en686-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 5A TO-220-3
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 4892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.22 грн
50+70.88 грн
100+63.52 грн
500+47.47 грн
1000+43.56 грн
2000+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1060S-1E en686-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TO-220-3
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 4892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+152.22 грн
50+70.88 грн
100+63.52 грн
500+47.47 грн
1000+43.56 грн
2000+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.