Продукція > ONSEMI > 2SD1061R
2SD1061R

2SD1061R onsemi

SNYOS08273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
523+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1061R onsemi

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: TO-220AB, Current - Collector (Ic) (Max): 7 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 40 W.