2SD1133C-E Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 7MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 258+ | 87.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1133C-E Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 4V, Frequency - Transition: 7MHz, Supplier Device Package: TO-220AB, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 40 W.
Інші пропозиції 2SD1133C-E за ціною від 116.83 грн до 141.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1133C-E | Виробник : Renesas |
2SD1133C-E |
на замовлення 1653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|