
2SD1193 onsemi

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 14mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 7A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 70 W
на замовлення 7825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
222+ | 98.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1193 onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 14mA, 7A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 7A, 2V, Frequency - Transition: 20MHz, Supplier Device Package: TO-3PB, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 70 W.
Інші пропозиції 2SD1193 за ціною від 112.52 грн до 112.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SD1193 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 7825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD1193 |
![]() |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |