
2SD1207S-AE onsemi

Description: TRANS NPN 50V 2A 3-MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 105079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1567+ | 13.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1207S-AE onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A 3-MP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: 3-MP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SD1207S-AE за ціною від 16.09 грн до 22.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SD1207S-AE | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD1207S-AE | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 66028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD1207S-AE | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD1207S-AE | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 19551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD1207S-AE | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2SD1207S-AE | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
2SD1207S-AE | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
|||||
2SD1207S-AE | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |