Продукція > ONSEMI > 2SD1620-TD-E
2SD1620-TD-E

2SD1620-TD-E onsemi

2SD1620-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 10V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1620-TD-E onsemi

Description: TRANS NPN 10V 3A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SD1620-TD-E за ціною від 12.71 грн до 67.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SD1620-TD-E 2SD1620-TD-E ON Semiconductor 2sd1620-d.pdf Trans GP BJT NPN 10V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1694+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 1694 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E 2SD1620-TD-E onsemi 2SD1620-D.PDF Description: TRANS NPN 10V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.31 грн
10+36.22 грн
100+23.47 грн
500+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E onsemi 2SD1620-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 10V
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+67.15 грн
10+41.18 грн
100+23.25 грн
500+17.83 грн
1000+15.95 грн
2000+14.52 грн
5000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E ONSEMI ONSMS36736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SD1620-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E 2sd1620-d.pdf
2SD1620-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 10V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1694+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 1694 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E 2SD1620-D.PDF
2SD1620-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 10V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.31 грн
10+36.22 грн
100+23.47 грн
500+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E 2SD1620-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 10V
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.15 грн
10+41.18 грн
100+23.25 грн
500+17.83 грн
1000+15.95 грн
2000+14.52 грн
5000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E ONSMS36736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1620-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.