Продукція > ONSEMI > 2SD1620-TD-E
2SD1620-TD-E

2SD1620-TD-E onsemi

en1719-d.html Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 10V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1620-TD-E onsemi

Description: TRANS NPN 10V 3A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SD1620-TD-E за ціною від 11.86 грн до 64.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD1620-TD-E 2SD1620-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sd1620-d.pdf Trans GP BJT NPN 10V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1694+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 1694
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E 2SD1620-TD-E Виробник : onsemi en1719-d.html Description: TRANS NPN 10V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.04 грн
10+35.80 грн
100+23.16 грн
500+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SD1620-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E Виробник : onsemi 2SD1620-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 10V
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.04 грн
10+39.26 грн
100+22.20 грн
500+16.95 грн
1000+15.21 грн
2000+13.08 грн
5000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E 2SD1620-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sd1620-d.pdf Trans GP BJT NPN 10V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E 2SD1620-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2508en1719-d.pdf Trans GP BJT NPN 10V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E Виробник : ONSEMI en1719-d.html Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 10V; 3A; 0.5W; SOT89
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Current gain: 140
Polarisation: bipolar
Frequency: 200MHz
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.