Продукція > ONSEMI > 2SD1620-TD-E
2SD1620-TD-E

2SD1620-TD-E onsemi

en1719-d.html
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 10V 3A PCP
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1620-TD-E onsemi

Description: TRANS NPN 10V 3A PCP, Part Status: Active, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A.

Інші пропозиції 2SD1620-TD-E за ціною від 15.67 грн до 56.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SD1620-TD-E 2SD1620-TD-E ON Semiconductor 2sd1620-d.pdf Trans GP BJT NPN 10V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1694+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 1694 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E 2SD1620-TD-E onsemi en1719-d.html Description: TRANS NPN 10V 3A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.57 грн
10+33.73 грн
100+21.82 грн
500+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E onsemi 2SD1620-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 10V
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E ONSEMI ONSMS36736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SD1620-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E 2sd1620-d.pdf
2SD1620-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 10V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1694+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 1694 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E en1719-d.html
2SD1620-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 10V 3A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.57 грн
10+33.73 грн
100+21.82 грн
500+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E 2SD1620-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 10V
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1620-TD-E ONSMS36736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1620-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.