2SD1623S-TD-E ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1623S-TD-E ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2SD1623S-TD-E за ціною від 16.95 грн до 75.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD1623S-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 2A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SD1623S-TD-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V |
на замовлення 6070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SD1623S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| 2SD1623S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| 2SD1623S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
2SD1623S-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 2A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| 2SD1623S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 0.5W; SOT89 Case: SOT89 Kind of package: reel; tape Current gain: 140...280 Polarisation: bipolar Frequency: 150MHz Type of transistor: NPN Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 50V |
товару немає в наявності |