Продукція > ONSEMI > 2SD1623S-TD-E
2SD1623S-TD-E

2SD1623S-TD-E ONSEMI

en1727-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1623S-TD-E ONSEMI

Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2SD1623S-TD-E за ціною від 15.68 грн до 72.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD1623S-TD-E 2SD1623S-TD-E onsemi en1727-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.08 грн
10+38.55 грн
100+25.08 грн
500+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623S-TD-E 2SD1623S-TD-E onsemi en1727-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.90 грн
10+40.03 грн
100+22.72 грн
500+17.44 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623S-TD-E 2SD1623S-TD-E ONSEMI en1727-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.53 грн
19+45.37 грн
100+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623S-TD-E en1727-d.pdf
2SD1623S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.08 грн
10+38.55 грн
100+25.08 грн
500+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623S-TD-E en1727-d.pdf
2SD1623S-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.90 грн
10+40.03 грн
100+22.72 грн
500+17.44 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623S-TD-E en1727-d.pdf
2SD1623S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.53 грн
19+45.37 грн
100+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.