Продукція > ONSEMI > 2SD1623S-TD-E
2SD1623S-TD-E

2SD1623S-TD-E ONSEMI

en1727-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1623S-TD-E ONSEMI

Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2SD1623S-TD-E за ціною від 15.40 грн до 71.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD1623S-TD-E 2SD1623S-TD-E Виробник : onsemi en1727-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.94 грн
10+37.86 грн
100+24.63 грн
500+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623S-TD-E 2SD1623S-TD-E Виробник : onsemi en1727-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.74 грн
10+39.32 грн
100+22.31 грн
500+17.13 грн
1000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623S-TD-E 2SD1623S-TD-E Виробник : ONSEMI en1727-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.23 грн
19+44.56 грн
100+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1123-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623S-TD-E 2SD1623S-TD-E Виробник : onsemi en1727-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623S-TD-E Виробник : ONSEMI en1727-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140...280
Frequency: 150MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.