Продукція > ONSEMI > 2SD1623T-TD-E
2SD1623T-TD-E

2SD1623T-TD-E onsemi


en1727-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.38 грн
2000+16.08 грн
3000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1623T-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції 2SD1623T-TD-E за ціною від 14.66 грн до 65.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.87 грн
500+17.84 грн
1000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E Виробник : onsemi 2SB1123-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 4190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+43.12 грн
13+29.13 грн
100+18.64 грн
500+15.69 грн
1000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+45.39 грн
29+31.01 грн
100+22.87 грн
500+17.84 грн
1000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E Виробник : onsemi en1727-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 4527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.48 грн
10+39.41 грн
100+25.60 грн
500+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1123-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
713+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1123-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 41900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1579+20.21 грн
10000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 1579
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1123-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1579+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 1579
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1123-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1579+20.21 грн
10000+18.03 грн
100000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 1579
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1123-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1123-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 1587en1727-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.