2SD1623T-TD-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 18.72 грн |
| 2000+ | 16.38 грн |
| 3000+ | 15.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1623T-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SD1623T-TD-E за ціною від 11.23 грн до 66.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD1623T-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SD1623T-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SD1623T-TD-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SD1623T-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 2A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 4560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SD1623T-TD-E | Виробник : Aptina Imaging |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2SD1623T-TD-E | Виробник : Aptina Imaging |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 41900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2SD1623T-TD-E | Виробник : Aptina Imaging |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 324000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2SD1623T-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2SD1623T-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| 2SD1623T-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |