Продукція > ONSEMI > 2SD1623T-TD-E
2SD1623T-TD-E

2SD1623T-TD-E onsemi

en1727-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+16.49 грн
2000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1623T-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2SD1623T-TD-E за ціною від 13.48 грн до 68.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E ONSEMI en1727-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.86 грн
500+19.82 грн
1000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E onsemi en1727-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 4507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.84 грн
10+37.45 грн
100+24.34 грн
500+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E onsemi en1727-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 3967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.82 грн
10+40.23 грн
100+22.76 грн
500+17.46 грн
1000+14.80 грн
2000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E ONSEMI en1727-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.51 грн
20+42.85 грн
100+27.86 грн
500+19.82 грн
1000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E en1727-d.pdf
2SD1623T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+27.86 грн
500+19.82 грн
1000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E en1727-d.pdf
2SD1623T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 4507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+62.84 грн
10+37.45 грн
100+24.34 грн
500+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E en1727-d.pdf
2SD1623T-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 3967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.82 грн
10+40.23 грн
100+22.76 грн
500+17.46 грн
1000+14.80 грн
2000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E en1727-d.pdf
2SD1623T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+68.51 грн
20+42.85 грн
100+27.86 грн
500+19.82 грн
1000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.