2SD1623T-TD-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 16.16 грн |
| 2000+ | 14.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1623T-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 500mW, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SD1623T-TD-E за ціною від 16.62 грн до 61.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SD1623T-TD-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 2A PCPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 4507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2SD1623T-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
2SD1623T-TD-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V |
на замовлення 3978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
2SD1623T-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1623T-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 3974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2SD1623T-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 324000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2SD1623T-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 41900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2SD1623T-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2SD1623T-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 3974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SD1623T-TD-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 4507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 61.58 грн |
| 10+ | 36.69 грн |
| 100+ | 23.85 грн |
| 500+ | 17.16 грн |
| 2SD1623T-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SD1623T-TD-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SD1623T-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SD1623T-TD-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 713+ | 19.72 грн |
| 2SD1623T-TD-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1579+ | 22.25 грн |
| 10000+ | 19.85 грн |
| 100000+ | 16.62 грн |
| 2SD1623T-TD-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 41900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1579+ | 22.25 грн |
| 10000+ | 19.85 грн |
| 2SD1623T-TD-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1579+ | 22.25 грн |
| 2SD1623T-TD-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




