Продукція > ONSEMI > 2SD1623T-TD-E

2SD1623T-TD-E onsemi


en1727-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+16.16 грн
2000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1623T-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 500mW, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SD1623T-TD-E за ціною від 16.62 грн до 61.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E onsemi en1727-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 4507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.58 грн
10+36.69 грн
100+23.85 грн
500+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E ONSEMI en1727-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E onsemi en1727-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E ONSEMI en1727-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E ON Semiconductor 2sb1123-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E ON Semiconductor 2sb1123-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1579+22.25 грн
10000+19.85 грн
100000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 1579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E ON Semiconductor 2sb1123-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 41900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1579+22.25 грн
10000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 1579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E ON Semiconductor 2sb1123-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1579+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 1579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E ON Semiconductor 2sb1123-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E en1727-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 4507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+61.58 грн
10+36.69 грн
100+23.85 грн
500+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E en1727-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E en1727-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E en1727-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E 2sb1123-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
713+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E 2sb1123-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1579+22.25 грн
10000+19.85 грн
100000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 1579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E 2sb1123-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 41900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1579+22.25 грн
10000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 1579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E 2sb1123-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1579+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 1579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E 2sb1123-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.