Продукція > ONSEMI > 2SD1624S-TD-E
2SD1624S-TD-E

2SD1624S-TD-E onsemi


en2019-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1624S-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2SD1624S-TD-E за ціною від 13.64 грн до 66.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-E Виробник : ONSEMI en2019-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-E Виробник : onsemi EN2019-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.94 грн
10+36.22 грн
100+21.94 грн
500+17.86 грн
1000+16.34 грн
2000+14.26 грн
5000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-E Виробник : ONSEMI en2019-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+63.64 грн
20+41.03 грн
100+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-E Виробник : onsemi en2019-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.20 грн
10+39.60 грн
100+25.83 грн
500+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E Виробник : ON Semiconductor en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
597+21.73 грн
637+20.36 грн
683+19.01 грн
735+17.01 грн
1000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 597
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E Виробник : ON Semiconductor en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1332+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 1332
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E Виробник : ON Semiconductor en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+36.45 грн
32+23.28 грн
100+21.04 грн
250+18.18 грн
500+16.20 грн
1000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E Виробник : ON Semiconductor en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E Виробник : ON Semiconductor en2019-d.pdf
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E Виробник : SANYO en2019-d.pdf SOT89
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E Виробник : ON Semiconductor en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.