Продукція > ONSEMI > 2SD1624S-TD-E
2SD1624S-TD-E

2SD1624S-TD-E onsemi

EN2019-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1624S-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2SD1624S-TD-E за ціною від 13.78 грн до 70.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-E ONSEMI ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.72 грн
500+18.43 грн
1000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-E ONSEMI ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.38 грн
20+41.79 грн
100+27.72 грн
500+18.43 грн
1000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-E onsemi EN2019-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.11 грн
10+42.06 грн
100+24.38 грн
500+19.29 грн
1000+16.74 грн
2000+14.60 грн
5000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-E onsemi EN2019-D.PDF Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.52 грн
10+42.16 грн
100+27.52 грн
500+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E ON Semiconductor en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+25.01 грн
610+23.20 грн
662+21.38 грн
723+18.88 грн
1000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 566 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E ON Semiconductor en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1332+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 1332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E ON Semiconductor en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.13 грн
30+25.26 грн
31+25.01 грн
100+22.37 грн
250+19.09 грн
500+16.78 грн
1000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E ON Semiconductor en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E SANYO EN2019-D.PDF SOT89
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1624S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+27.72 грн
500+18.43 грн
1000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1624S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+66.38 грн
20+41.79 грн
100+27.72 грн
500+18.43 грн
1000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E EN2019-D.PDF
2SD1624S-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+69.11 грн
10+42.06 грн
100+24.38 грн
500+19.29 грн
1000+16.74 грн
2000+14.60 грн
5000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E EN2019-D.PDF
2SD1624S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+70.52 грн
10+42.16 грн
100+27.52 грн
500+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E en2019-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
566+25.01 грн
610+23.20 грн
662+21.38 грн
723+18.88 грн
1000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 566 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E en2019-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1332+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 1332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E en2019-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+40.13 грн
30+25.26 грн
31+25.01 грн
100+22.37 грн
250+19.09 грн
500+16.78 грн
1000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E en2019-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624S-TD-E EN2019-D.PDF
Виробник: SANYO
SOT89
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.