2SD1624S-TD-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 20.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1624S-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2SD1624S-TD-E за ціною від 14.18 грн до 73.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD1624S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SD1624S-TD-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V |
на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SD1624S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SD1624S-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 1892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SD1624S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2SD1624S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2SD1624S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2SD1624S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| 2SD1624S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| 2SD1624S-TD-E | Виробник : SANYO |
SOT89 |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| 2SD1624S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| 2SD1624S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| 2SD1624S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 1.5W; SOT89 Type of transistor: NPN; NPN Polarisation: bipolar; bipolar Collector-emitter voltage: 50V; 50V Collector current: 3A; 3A Power dissipation: 1.5W; 1.5W Case: SOT89; SOT89 Current gain: 140...280; 140...280 Mounting: SMD; SMD Kind of package: reel; tape; reel; tape Frequency: 150MHz; 150MHz |
товару немає в наявності |