Продукція > ONSEMI > 2SD1628G-TD-E
2SD1628G-TD-E

2SD1628G-TD-E onsemi

EN1781-D.html Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1628G-TD-E onsemi

Description: TRANS NPN 20V 5A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SD1628G-TD-E за ціною від 15.52 грн до 73.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD1628G-TD-E 2SD1628G-TD-E Виробник : onsemi EN1781_D-2311118.pdf Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, 20V, 5A, Low VCE(sat), NPN Single PCP hFE 280-560
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.52 грн
10+45.60 грн
100+26.85 грн
500+21.70 грн
1000+18.83 грн
2000+17.14 грн
5000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1628G-TD-E 2SD1628G-TD-E Виробник : onsemi EN1781-D.html Description: TRANS NPN 20V 5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.21 грн
10+43.91 грн
100+28.68 грн
500+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1628G-TD-E EN1781-D.html
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1628G-TD-E Виробник : ON Semiconductor 1121en1781-d.pdf Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1628G-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sd1628-d.pdf Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1628G-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sd1628-d.pdf Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.