Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SD1664T100P
2SD1664T100P

2SD1664T100P Rohm Semiconductor

2sd1664.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1421+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 1421
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1664T100P Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 32V 1A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SD1664T100P за ціною від 14.00 грн до 51.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD1664T100P 2SD1664T100P Виробник : Rohm Semiconductor 2sd1664,1858.pdf Description: TRANS NPN 32V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1664T100P 2SD1664T100P Виробник : Rohm Semiconductor 2sd1664,1858.pdf Description: TRANS NPN 32V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.73 грн
10+30.81 грн
100+19.79 грн
500+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1664T100P Виробник : ROHM Semiconductor rohm semiconductor_rohms11678-1.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 32V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.