2SD1766-Q Yangjie Technology
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 3.14 грн |
| 5000+ | 2.87 грн |
| 10000+ | 2.72 грн |
| 20000+ | 2.34 грн |
| 40000+ | 2.13 грн |
| 100000+ | 1.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1766-Q Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-89, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SD1766-Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1766-Q | Виробник : KESENES | 09+ |
на замовлення 9869 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 2SD1766/Q | Виробник : ROHM | SOT-89 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |