Продукція > ONSEMI > 2SD1801S-E
2SD1801S-E

2SD1801S-E ONSEMI

ONSMS36742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1801S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+20.1 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1801S-E ONSEMI

Description: ONSEMI - 2SD1801S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2SD1801S-E за ціною від 18.25 грн до 53.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SD1801S-E 2SD1801S-E Виробник : onsemi en2112-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.43 грн
10+ 42.04 грн
100+ 29.11 грн
500+ 22.83 грн
1000+ 19.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SD1801S-E 2SD1801S-E Виробник : onsemi EN2112_D-2311119.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.3 грн
10+ 46.26 грн
100+ 30.83 грн
500+ 24.37 грн
1000+ 19.45 грн
2500+ 18.71 грн
5000+ 18.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SD1801S-E 2SD1801S-E Виробник : ON Semiconductor 3755en2112-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товар відсутній