Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SD1801S-E
2SD1801S-E

2SD1801S-E ON Semiconductor

2sb1201-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
964+36.63 грн
1045+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 964 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1801S-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SD1801S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2SD1801S-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SD1801S-E 2SD1801S-E onsemi EN2112_D-2311119.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-E 2SD1801S-E ONSEMI ONSMS36742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1801S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-E EN2112_D-2311119.pdf
2SD1801S-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-E ONSMS36742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1801S-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1801S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.