2SD1801S-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1801S-E onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A TP, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TP, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2SD1801S-E за ціною від 18.92 грн до 55.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD1801S-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V |
на замовлення 961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| 2SD1801S-E |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.25 грн |
| 10+ | 47.95 грн |
| 100+ | 31.96 грн |
| 500+ | 25.27 грн |
| 1000+ | 20.16 грн |
| 2500+ | 19.40 грн |
| 5000+ | 18.92 грн |