2SD1801T-TL-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 380800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1211+ | 18.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1801T-TL-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SD1801T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SD1801T-TL-E за ціною від 20.51 грн до 20.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD1801T-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1801T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 12600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| 2SD1801T-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V |
на замовлення 12600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||
 |
2SD1801T-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
2SD1801T-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 2A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
товару немає в наявності |