2SD1801T-TL-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1801T-TL-E onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A TP-FA, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: TP-FA, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SD1801T-TL-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1801T-TL-E | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V |
на замовлення 12600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SD1801T-TL-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)