Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SD1803S-E
2SD1803S-E

2SD1803S-E ON Semiconductor

enn2085b-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1803S-E ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 50V 5A IPAK/TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: IPAK/TP, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SD1803S-E за ціною від 38.53 грн до 97.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD1803S-E 2SD1803S-E Виробник : Sanyo ONSMS36741-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 50V 5A IPAK/TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: IPAK/TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
461+49.51 грн
Мінімальне замовлення: 461
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-E 2SD1803S-E Виробник : ON Semiconductor enn2085b-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+55.96 грн
12+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-E 2SD1803S-E Виробник : onsemi 2SD1803_D-3006516.pdf Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.61 грн
10+87.78 грн
100+61.35 грн
500+50.35 грн
1000+39.34 грн
2000+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-E 2SD1803S-E Виробник : ON Semiconductor enn2085b-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-E 2SD1803S-E Виробник : ON Semiconductor enn2085b-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-E 2SD1803S-E Виробник : ON Semiconductor enn2085b-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-E 2SD1803S-E Виробник : onsemi 2SB1203%2C2SD1803.pdf Description: TRANS NPN 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.