2SD1803S-E ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 46.84 грн |
| 21+ | 36.08 грн |
| 25+ | 31.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1803S-E ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 5A IPAK/TP, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Supplier Device Package: IPAK/TP, Frequency - Transition: 180MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2SD1803S-E за ціною від 63.73 грн до 63.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD1803S-E | Sanyo |
 Description: TRANS NPN 50V 5A IPAK/TPPower - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: IPAK/TP Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bulk |
на замовлення 2317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
2SD1803S-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
2SD1803S-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE |
на замовлення 6830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
2SD1803S-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SD1803S-E |
|
Виробник: Sanyo
Description: TRANS NPN 50V 5A IPAK/TP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: IPAK/TP
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 50V 5A IPAK/TP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: IPAK/TP
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 314+ | 63.73 грн |
| 2SD1803S-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SD1803S-E |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SD1803S-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)