2SD1803S-E Sanyo
Виробник: SanyoDescription: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: IPAK/TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 461+ | 43.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1803S-E Sanyo
Description: TRANS NPN 50V 5A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: TP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SD1803S-E за ціною від 34.87 грн до 100.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD1803S-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SD1803S-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE |
на замовлення 6830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SD1803S-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SD1803S-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
2SD1803S-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
2SD1803S-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
2SD1803S-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 5A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
товар відсутній |