2SD1803S-E ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 49.81 грн |
| 20+ | 38.40 грн |
| 25+ | 34.43 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
16 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1803S-E ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 5A IPAK/TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: IPAK/TP, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SD1803S-E за ціною від 38.48 грн до 97.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SD1803S-E | Sanyo |
Description: TRANS NPN 50V 5A IPAK/TPPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: IPAK/TP Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 2317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SD1803S-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE |
на замовлення 6830 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SD1803S-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
2SD1803S-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
2SD1803S-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SD1803S-E |
![]() |
Виробник: Sanyo
Description: TRANS NPN 50V 5A IPAK/TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: IPAK/TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 50V 5A IPAK/TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: IPAK/TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 395+ | 50.30 грн |
| 2SD1803S-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 97.48 грн |
| 10+ | 87.66 грн |
| 100+ | 61.27 грн |
| 500+ | 50.28 грн |
| 1000+ | 39.29 грн |
| 2000+ | 38.48 грн |
| 2SD1803S-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SD1803S-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SD1803S-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





