2SD1803S-TL-E ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803S-TL-E - TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 5A-TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1803S-TL-E ONSEMI
Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TP-FA, Frequency - Transition: 180MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SD1803S-TL-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD1803S-TL-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TP-FA Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
2SD1803S-TL-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SD1803S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SD1803S-TL-E |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2SD1803S-TL-E |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2SD1803S-TL-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику
од. на суму грн.