Продукція > ONSEMI > 2SD1803T-TL-E

2SD1803T-TL-E onsemi

Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V

на замовлення 2403 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SD1803T-TL-E onsemi

Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TP-FA, Frequency - Transition: 180MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SD1803T-TL-E

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
2SD1803T-TL-E	onsemi	Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TP-FA Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
2SD1803T-TL-E	ONSEMI	Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SD1803 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021)	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн.
2SD1803T-TL-E	ON Semiconductor	Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 2100 шт В кошику од. на суму грн.

2SD1803T-TL-E

Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2SD1803T-TL-E

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 700 шт

В кошику од. на суму грн.

2SD1803T-TL-E

Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2100 шт

В кошику од. на суму грн.