2SD1803T-TL-H

2SD1803T-TL-H ON Semiconductor


2sd1803d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1803T-TL-H ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції 2SD1803T-TL-H за ціною від 29.67 грн до 134.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD1803T-TL-H 2SD1803T-TL-H Виробник : onsemi 2SB1203%2C2SD1803.pdf Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+39.71 грн
1400+35.06 грн
2100+33.43 грн
3500+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-H 2SD1803T-TL-H Виробник : ON Semiconductor 2sd1803d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+44.90 грн
1400+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-H 2SD1803T-TL-H Виробник : ON Semiconductor 2sd1803d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+48.10 грн
1400+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-H 2SD1803T-TL-H Виробник : onsemi 2SB1203%2C2SD1803.pdf Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 4896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.39 грн
10+75.86 грн
100+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-H 2SD1803T-TL-H Виробник : onsemi 2SD1803-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.16 грн
10+84.49 грн
100+48.87 грн
700+37.53 грн
1400+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-H 2SD1803T-TL-H Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0012903225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-H 2SD1803T-TL-H Виробник : ONSEMI 2SB1203%2C2SD1803.pdf Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-H 2SD1803T-TL-H Виробник : ON Semiconductor 1160en2085-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.