2SD1803T-TL-H ON Semiconductor
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 700+ | 34.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1803T-TL-H ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2SD1803T-TL-H за ціною від 28.24 грн до 127.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SD1803T-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SD1803T-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SD1803T-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SD1803T-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 4896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SD1803T-TL-H | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SD1803T-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
2SD1803T-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
2SD1803T-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| 2SD1803T-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 5A; 1W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 5A Power dissipation: 1W Case: DPAK Current gain: 200...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180MHz |
товару немає в наявності |



