2SD1805G-E

2SD1805G-E ON Semiconductor


2sd1805-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
127+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 127
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1805G-E ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 20V 5A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: TP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SD1805G-E за ціною від 19.45 грн до 19.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SD1805G-E 2SD1805G-E Виробник : onsemi 2sd1805-d.pdf Description: TRANS NPN 20V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 21098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1098+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 1098
2SD1805G-E 2SD1805G-E Виробник : ONSEMI ONSMS36409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1805G-E - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SD1805G-E 2SD1805G-E Виробник : ON Semiconductor 2SD1805_D-2310100.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 20V
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SD1805G-E 2SD1805G-E Виробник : ON Semiconductor 14112sd1805-d.pdf Trans GP BJT NPN 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
товар відсутній
2SD1805G-E 2SD1805G-E Виробник : onsemi 2sd1805-d.pdf Description: TRANS NPN 20V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній