2SD1815S-TL-E ON Semiconductor
на замовлення 30100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 700+ | 31.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1815S-TL-E ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 3A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SD1815S-TL-E за ціною від 23.05 грн до 110.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SD1815S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 298900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SD1815S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SD1815S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 31150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SD1815S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SD1815S-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 3A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 30100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SD1815S-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 3A TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 30711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SD1815S-TL-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V |
на замовлення 1068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2SD1815S-TL-E | Виробник : SANYO |
08+ TO-252 |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
2SD1815S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2SD1815S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
2SD1815S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |