2SD1815S-TL-E ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 715+ | 49.49 грн |
| 1000+ | 45.64 грн |
| 10000+ | 40.69 грн |
| 100000+ | 32.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1815S-TL-E ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 3A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SD1815S-TL-E за ціною від 29.00 грн до 107.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SD1815S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2SD1815S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 31150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2SD1815S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2SD1815S-TL-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 3A TP-FAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| 2SD1815S-TL-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2SD1815S-TL-E | SANYO |
08+ TO-252 |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SD1815S-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 715+ | 49.49 грн |
| 1000+ | 45.64 грн |
| 2SD1815S-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 715+ | 49.49 грн |
| 1000+ | 45.64 грн |
| 10000+ | 40.69 грн |
| 2SD1815S-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 715+ | 49.49 грн |
| 1000+ | 45.64 грн |
| 2SD1815S-TL-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 100V 3A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.71 грн |
| 10+ | 65.82 грн |
| 100+ | 43.88 грн |
| 2SD1815S-TL-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 106.88 грн |
| 10+ | 66.70 грн |
| 100+ | 38.71 грн |
| 700+ | 29.00 грн |
| 2SD1815S-TL-E |
![]() |
Виробник: SANYO
08+ TO-252
08+ TO-252
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




