2SD1815S-TL-E ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 715+ | 51.15 грн |
| 1000+ | 47.16 грн |
| 10000+ | 42.05 грн |
| 100000+ | 33.97 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
715 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1815S-TL-E ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 3A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SD1815S-TL-E за ціною від 29.05 грн до 123.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SD1815S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SD1815S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 31150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SD1815S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SD1815S-TL-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 3A TP-FAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2SD1815S-TL-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V |
на замовлення 244 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| 2SD1815S-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 715+ | 51.15 грн |
| 1000+ | 47.16 грн |
| 2SD1815S-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 715+ | 51.15 грн |
| 1000+ | 47.16 грн |
| 10000+ | 42.05 грн |
| 2SD1815S-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 715+ | 51.15 грн |
| 1000+ | 47.16 грн |
| 2SD1815S-TL-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 100V 3A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.06 грн |
| 10+ | 67.25 грн |
| 100+ | 44.83 грн |
| 2SD1815S-TL-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
на замовлення 244 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 123.50 грн |
| 10+ | 77.18 грн |
| 100+ | 44.67 грн |
| 700+ | 33.48 грн |
| 1400+ | 30.71 грн |
| 2100+ | 30.18 грн |
| 4900+ | 29.05 грн |




