Продукція > ONSEMI > 2SD1815T-E
2SD1815T-E

2SD1815T-E ONSEMI


ONSMS37507-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1815T-E - 2SD1815T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1815T-E ONSEMI

Description: TRANS NPN 100V 3A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: TP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SD1815T-E за ціною від 29.19 грн до 29.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD1815T-E 2SD1815T-E Виробник : onsemi 2SB1215%2C2SD1815.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 15528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
761+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 761
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1815T-E 2SD1815T-E Виробник : ON Semiconductor EN2539-D-310460.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1815T-E 2SD1815T-E Виробник : ON Semiconductor 76en2539-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1815T-E 2SD1815T-E Виробник : onsemi 2SB1215%2C2SD1815.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.