2SD1815T-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1815T-E onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: TP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SD1815T-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD1815T-E | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SD1815T-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)