Продукція > ONSEMI > 2SD1816S-H
2SD1816S-H

2SD1816S-H onsemi

2sb1216_2sd1816-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
721+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 721
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1816S-H onsemi

Description: TRANS NPN 100V 4A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: TP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SD1816S-H за ціною від 34.27 грн до 37.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD1816S-H 2SD1816S-H Виробник : ON Semiconductor 2sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
833+37.17 грн
1000+34.27 грн
Мінімальне замовлення: 833
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-H 2SD1816S-H Виробник : ON Semiconductor 2sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
833+37.17 грн
1000+34.27 грн
Мінімальне замовлення: 833
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-H 2SD1816S-H Виробник : ON Semiconductor 2SB1216_2SD1816-D-1801782.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-H 2SD1816S-H Виробник : ON Semiconductor 11710336676814342sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-H 2SD1816S-H Виробник : onsemi 2sb1216_2sd1816-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.