2SD1816S-TL-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 700+ | 26.30 грн |
| 1400+ | 23.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1816S-TL-E onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SD1816S-TL-E за ціною від 34.91 грн до 150.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD1816S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 41800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SD1816S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 569100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SD1816S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SD1816S-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| 2SD1816S-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1816S-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 611600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2SD1816S-TL-E | Виробник : Sanyo Electric |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2SD1816S-TL-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER |
на замовлення 881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
2SD1816S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
2SD1816S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |