Продукція > ONSEMI > 2SD1816S-TL-E
2SD1816S-TL-E

2SD1816S-TL-E onsemi

2sb1216_2sd1816-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
700+24.78 грн
1400+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1816S-TL-E onsemi

Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SD1816S-TL-E за ціною від 44.85 грн до 129.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SD1816S-TL-E 2SD1816S-TL-E ON Semiconductor 2sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+81.01 грн
500+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 436 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E 2SD1816S-TL-E ON Semiconductor 2sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 569100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+81.01 грн
500+72.91 грн
1000+67.25 грн
10000+57.82 грн
100000+44.85 грн
Мінімальне замовлення: 436 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E 2SD1816S-TL-E ON Semiconductor 2sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 41800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+81.01 грн
500+72.91 грн
1000+67.25 грн
10000+57.82 грн
Мінімальне замовлення: 436 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E 2SD1816S-TL-E onsemi 2sb1216_2sd1816-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.82 грн
10+79.98 грн
100+53.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E Sanyo Electric 2sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+81.01 грн
500+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 436 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E onsemi 2sb1216_2sd1816-d.pdf Bipolar Transistors - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E ONSEMI ONSM-S-A0001812173-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SD1816S-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 611600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E 2sb1216_2sd1816-d.pdf
2SD1816S-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
436+81.01 грн
500+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 436 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E 2sb1216_2sd1816-d.pdf
2SD1816S-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 569100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
436+81.01 грн
500+72.91 грн
1000+67.25 грн
10000+57.82 грн
100000+44.85 грн
Мінімальне замовлення: 436 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E 2sb1216_2sd1816-d.pdf
2SD1816S-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 41800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
436+81.01 грн
500+72.91 грн
1000+67.25 грн
10000+57.82 грн
Мінімальне замовлення: 436 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E 2sb1216_2sd1816-d.pdf
2SD1816S-TL-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.82 грн
10+79.98 грн
100+53.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E 2sb1216_2sd1816-d.pdf
Виробник: Sanyo Electric
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
436+81.01 грн
500+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 436 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E 2sb1216_2sd1816-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E ONSM-S-A0001812173-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1816S-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 611600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.