Продукція > ONSEMI > 2SD1816S-TL-E
2SD1816S-TL-E

2SD1816S-TL-E onsemi

2sb1216_2sd1816-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+25.94 грн
1400+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1816S-TL-E onsemi

Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SD1816S-TL-E за ціною від 34.43 грн до 148.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD1816S-TL-E 2SD1816S-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 41800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
436+71.22 грн
500+64.10 грн
1000+59.12 грн
10000+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E 2SD1816S-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 569100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
436+71.22 грн
500+64.10 грн
1000+59.12 грн
10000+50.83 грн
100000+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E 2SD1816S-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
436+71.22 грн
500+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E 2SD1816S-TL-E Виробник : onsemi 2sb1216_2sd1816-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.88 грн
10+83.71 грн
100+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0001812173-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SD1816S-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 611600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+57.72 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E Виробник : Sanyo Electric 2sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
436+71.22 грн
500+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E Виробник : onsemi 2SB1216_2SD1816-D.PDF Bipolar Transistors - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.31 грн
10+93.98 грн
100+54.71 грн
700+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E 2SD1816S-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E 2SD1816S-TL-E Виробник : ON Semiconductor 11710336676814342sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816S-TL-E Виробник : ONSEMI 2sb1216_2sd1816-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 1W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Collector current: 4A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Case: DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.