2SD1816T-E ON Semiconductor


2SB1216_2SD1816-D-1141918.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1816T-E ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 100V 4A TP, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TP, Frequency - Transition: 180MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції 2SD1816T-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SD1816T-E 2SD1816T-E ONSEMI ONSM-S-A0001812173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1816T-E - 2SD1816T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816T-E ONSM-S-A0001812173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1816T-E - 2SD1816T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.