Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SD1816T-TL-H
2SD1816T-TL-H

2SD1816T-TL-H ON Semiconductor

2sb1216_2sd1816-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1816T-TL-H ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SD1816T-TL-H за ціною від 30.94 грн до 139.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD1816T-TL-H 2SD1816T-TL-H Виробник : onsemi 2sb1216_2sd1816-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+41.26 грн
1400+36.48 грн
2100+34.83 грн
3500+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816T-TL-H 2SD1816T-TL-H Виробник : onsemi 2sb1216_2sd1816-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.47 грн
10+78.09 грн
100+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816T-TL-H 2SD1816T-TL-H Виробник : onsemi 2SB1216_2SD1816-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.26 грн
10+87.26 грн
100+50.86 грн
700+38.39 грн
1400+35.28 грн
2100+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816T-TL-H 2SD1816T-TL-H Виробник : ON Semiconductor 11710336676814342sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816T-TL-H 2SD1816T-TL-H Виробник : ON Semiconductor 2sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816T-TL-H 2SD1816T-TL-H Виробник : ON Semiconductor 2sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.