Продукція > ONSEMI > 2SD1816T-TL-H

2SD1816T-TL-H onsemi


2sb1216_2sd1816-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
700+39.23 грн
1400+34.69 грн
2100+33.12 грн
3500+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1816T-TL-H onsemi

Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TP-FA, Frequency - Transition: 180MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SD1816T-TL-H за ціною від 43.64 грн до 121.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SD1816T-TL-H 2SD1816T-TL-H ON Semiconductor 2sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816T-TL-H 2SD1816T-TL-H onsemi 2sb1216_2sd1816-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.22 грн
10+74.26 грн
100+49.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816T-TL-H 2SD1816T-TL-H onsemi 2sb1216_2sd1816-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816T-TL-H 2sb1216_2sd1816-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
700+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816T-TL-H 2sb1216_2sd1816-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.22 грн
10+74.26 грн
100+49.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1816T-TL-H 2sb1216_2sd1816-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.