Інші пропозиції 2SD1835S-AA за ціною від 8.92 грн до 14.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SD1835S-AA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 2A 3-NPPackaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 142744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2SD1835S-AA | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1835S-AA - 2SD1835S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 142744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2SD1835S-AA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 750mW 3-Pin NP T/R |
на замовлення 15500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2SD1835S-AA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 750mW 3-Pin NP T/R |
на замовлення 127510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| 2SD1835S-AA | Виробник : Sanyo Electric |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 750mW 3-Pin NP T/R |
на замовлення 6061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2SD1835S-AA | Виробник : SANYO |
|
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
|
2SD1835S-AA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 2A 3-NPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 750 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||
| 2SD1835S-AA | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V |
товару немає в наявності |



