2SD1918TLQ Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 236+ | 59.24 грн |
| 250+ | 56.87 грн |
| 500+ | 54.81 грн |
| 1000+ | 51.13 грн |
| 2500+ | 45.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1918TLQ Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 1.5A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 10 W.
Інші пропозиції 2SD1918TLQ за ціною від 28.78 грн до 104.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SD1918TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SD1918TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 1.5A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 3687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SD1918TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 1.5A CPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
2SD1918TLQ | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 160V 1.5A |
товару немає в наявності |