Технічний опис 2SD1963 T100R ROHM
Description: TRANS NPN 20V 3A MPT3, Power - Max: 2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Supplier Device Package: MPT3, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SD1963 T100R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1963 T100R | ROHM | SOT89 |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| 2SD1963T100R | ROHM |
 SOT89 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| 2SD1963T100R | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 3A |
на замовлення 954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SD1963 T100R |
Виробник: ROHM
SOT89
SOT89
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| 2SD1963T100R |
|
Виробник: ROHM
SOT89
SOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| 2SD1963T100R |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 3A
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 3A
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)