Продукція > ROHM > 2SD2211T100R

2SD2211T100R ROHM

2SD1857A,1918,2211.pdf Виробник: ROHM
10+ SOT-89
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD2211T100R ROHM

Description: TRANS NPN 160V 1.5A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: MPT3, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SD2211T100R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD2211 T100R Виробник : ROHM SOT89
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2211T100R 2SD2211T100R Виробник : Rohm Semiconductor 2SD1857A,1918,2211.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2211T100R Виробник : ROHM Semiconductor rohmsemiconductor_2SD1857A_1918_2211.pdf Bipolar Transistors - BJT DVR NPN 160V 1.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.