2SD2351T106W ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - 2SD2351T106W - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.64 грн |
| 500+ | 10.51 грн |
| 1000+ | 9.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD2351T106W ROHM
Description: ROHM - 2SD2351T106W - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SD2351T106W за ціною від 3.34 грн до 38.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD2351T106W | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SD2351T106W | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 820...2700 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz |
на замовлення 2395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SD2351T106W | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 820...2700 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2395 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SD2351T106W | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 7618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SD2351T106W | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SD2351T106W - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SD2351T106W | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 0.15A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SD2351T106W | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 150MA |
на замовлення 5106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SD2351T106W Код товару: 131165
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
2SD2351T106W | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin UMT T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2SD2351T106W | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 0.15A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
товару немає в наявності |