2SD2537T100V

2SD2537T100V Rohm Semiconductor


2sd2537t100v-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 1.2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
396+30.74 грн
413+29.51 грн
500+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 396
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD2537T100V Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 25V 1.2A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SD2537T100V за ціною від 19.60 грн до 93.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD2537T100V 2SD2537T100V Виробник : ROHM Semiconductor 2sd2537t100v-e.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 25V 1.2A
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.71 грн
10+60.26 грн
100+35.01 грн
500+27.82 грн
1000+25.76 грн
2000+20.18 грн
5000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2537T100V 2SD2537T100V Виробник : Rohm Semiconductor 2sd2537t100v-e.pdf Trans GP BJT NPN 25V 1.2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
147+83.08 грн
301+40.47 грн
329+37.03 грн
330+35.60 грн
500+26.81 грн
1000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2537T100V 2SD2537T100V Виробник : Rohm Semiconductor 2sd2537t100v-e.pdf Description: TRANS NPN 25V 1.2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.68 грн
10+56.65 грн
100+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2537 T100V Виробник : ROHM 04+ SOT-89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2537T100V Виробник : ROHM 2sd2537t100v-e.pdf 05+ SOT-89
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2537T100V Виробник : ROHM 2sd2537t100v-e.pdf 09+
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2537T100V Виробник : ROHM 2sd2537t100v-e.pdf SOT89
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2537T100V 2SD2537T100V Виробник : Rohm Semiconductor 2sd2537t100v-e.pdf Description: TRANS NPN 25V 1.2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.