Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SD2652T106
2SD2652T106

2SD2652T106 Rohm Semiconductor

2sd2652t106-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 1.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 16235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1620+7.57 грн
1801+6.81 грн
1871+6.55 грн
2000+6.04 грн
3000+5.55 грн
6000+5.14 грн
12000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 1620
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD2652T106 Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 12V 1.5A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: UMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції 2SD2652T106 за ціною від 9.95 грн до 58.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD2652T106 2SD2652T106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SD2652&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 12V 1.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2652T106 2SD2652T106 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SD2652&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 12V 1.5A
на замовлення 5777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.34 грн
100+21.47 грн
500+13.85 грн
1000+12.47 грн
3000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2652T106 2SD2652T106 Виробник : Rohm Semiconductor 2sd2652t106-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 1.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
405+30.30 грн
422+29.08 грн
500+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 405
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2652T106 2SD2652T106 Виробник : Rohm Semiconductor 2sd2652t106-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 1.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
405+30.30 грн
422+29.08 грн
500+28.03 грн
1000+26.15 грн
2500+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 405
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2652T106 2SD2652T106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SD2652&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 12V 1.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.78 грн
10+35.00 грн
100+22.53 грн
500+16.10 грн
1000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2652-T106 Виробник : ROHM SOT323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2652T106 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=2SD2652&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key 2SD2652T106 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.