2SD2654E3TLV Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD2654E3TLV Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: EMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.
Інші пропозиції 2SD2654E3TLV за ціною від 5.87 грн до 37.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SD2654E3TLV | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 50V 150mA, High hFE & Muting Transistor |
на замовлення 3065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SD2654E3TLV | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 6570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 2SD2654E3TLV |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 50V 150mA, High hFE & Muting Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 50V 150mA, High hFE & Muting Transistor
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.91 грн |
| 16+ | 20.40 грн |
| 100+ | 11.53 грн |
| 500+ | 8.49 грн |
| 1000+ | 7.59 грн |
| 3000+ | 6.49 грн |
| 6000+ | 5.87 грн |
| 2SD2654E3TLV |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 6570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.28 грн |
| 14+ | 21.91 грн |
| 100+ | 13.87 грн |
| 500+ | 9.77 грн |
| 1000+ | 8.71 грн |


