2SD2654TLV Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD2654TLV Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SD2654TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 560, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 150, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 150, Verlustleistung: 150, Bauform - Transistor: SOT-416, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 150, Übergangsfrequenz: 250, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції 2SD2654TLV за ціною від 10.69 грн до 44.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SD2654TLV | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SD2654TLV | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SD2654TLV | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Supplier Device Package: EMT3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SD2654TLV | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 150MA |
на замовлення 4759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2SD2654TLV | ROHM |
Description: ROHM - 2SD2654TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 560 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2SD2654TLV | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 55 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2SD2654TLV | ROHM |
Description: ROHM - 2SD2654TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 560 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: SOT-416 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 150 Übergangsfrequenz: 250 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD2654TLV | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 2SD2654TLV |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 863+ | 16.41 грн |
| 895+ | 15.81 грн |
| 1000+ | 15.29 грн |
| 2SD2654TLV |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 532+ | 34.70 грн |
| 1000+ | 18.10 грн |
| 2SD2654TLV |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 44.94 грн |
| 12+ | 26.42 грн |
| 100+ | 16.85 грн |
| 500+ | 11.94 грн |
| 1000+ | 10.69 грн |
| 2SD2654TLV |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 150MA
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 150MA
на замовлення 4759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SD2654TLV |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SD2654TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 560
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ROHM - 2SD2654TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 560
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SD2654TLV |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SD2654TLV |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SD2654TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 560
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - 2SD2654TLV - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 560
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SD2654TLV |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 33.15 грн |




