Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SD2656T106
2SD2656T106

2SD2656T106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SD2656&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD2656T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SD2656T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SD2656T106 за ціною від 6.66 грн до 38.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SD2656T106 2SD2656T106 Rohm Semiconductor 2sd2656t106-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+22.19 грн
702+20.29 грн
851+16.73 грн
1000+14.31 грн
2000+12.29 грн
3000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106 2SD2656T106 Rohm Semiconductor 2sd2656t106-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+26.19 грн
565+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106 2SD2656T106 Rohm Semiconductor 2sd2656t106-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+26.19 грн
565+25.24 грн
1000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106 2SD2656T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SD2656&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.02 грн
14+21.91 грн
100+13.95 грн
500+9.82 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106 2SD2656T106 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SD2656&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1A
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+38.91 грн
13+23.63 грн
100+13.09 грн
500+9.80 грн
1000+8.78 грн
3000+7.39 грн
6000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106 2SD2656T106 ROHM 2sd2656t106-e.pdf Description: ROHM - 2SD2656T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106 2SD2656T106 ROHM 2sd2656t106-e.pdf Description: ROHM - 2SD2656T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106 2sd2656t106-e.pdf
2SD2656T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
642+22.19 грн
702+20.29 грн
851+16.73 грн
1000+14.31 грн
2000+12.29 грн
3000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106 2sd2656t106-e.pdf
2SD2656T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
544+26.19 грн
565+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106 2sd2656t106-e.pdf
2SD2656T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
544+26.19 грн
565+25.24 грн
1000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106 datasheet?p=2SD2656&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SD2656T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.02 грн
14+21.91 грн
100+13.95 грн
500+9.82 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106 datasheet?p=2SD2656&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SD2656T106
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1A
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.91 грн
13+23.63 грн
100+13.09 грн
500+9.80 грн
1000+8.78 грн
3000+7.39 грн
6000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106 2sd2656t106-e.pdf
2SD2656T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SD2656T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2656T106 2sd2656t106-e.pdf
2SD2656T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SD2656T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.