2SD2656T106 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD2656T106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SD2656T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SD2656T106 за ціною від 6.52 грн до 39.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD2656T106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SD2656T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SD2656T106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 3590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SD2656T106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SD2656T106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SD2656T106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SD2656T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SD2656T106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1A |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SD2656T106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 7985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SD2656T106 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 200mW; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 270...680 Polarisation: bipolar Frequency: 400MHz Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Collector current: 1A Power dissipation: 0.2W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2SD2656T106 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 200mW; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 270...680 Polarisation: bipolar Frequency: 400MHz Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Collector current: 1A Power dissipation: 0.2W |
товару немає в наявності |