2SD2657TL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1360+ | 10.40 грн |
| 1406+ | 10.06 грн |
| 2500+ | 9.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD2657TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SD2657TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-346T, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SD2657TL за ціною від 13.44 грн до 65.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD2657TL | Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS NPN 30V 1.5A TSMT3Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Supplier Device Package: TSMT3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) |
на замовлення 2671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SD2657TL | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 2560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2SD2657TL | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1.5A |
на замовлення 3413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
2SD2657TL | ROHM |
Description: ROHM - 2SD2657TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
2SD2657TL | ROHM |
Description: ROHM - 2SD2657TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SD2657TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 1.5A TSMT3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Description: TRANS NPN 30V 1.5A TSMT3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 54.24 грн |
| 10+ | 32.53 грн |
| 100+ | 20.94 грн |
| 500+ | 14.96 грн |
| 1000+ | 13.44 грн |
| 2SD2657TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 312+ | 65.81 грн |
| 500+ | 41.77 грн |
| 1000+ | 27.44 грн |
| 2SD2657TL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1.5A
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1.5A
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SD2657TL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SD2657TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - 2SD2657TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SD2657TL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SD2657TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - 2SD2657TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)