2SD2661T100

2SD2661T100 Rohm Semiconductor


2sd2661t100-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
602+20.22 грн
625+19.49 грн
1000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 602
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD2661T100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SD2661T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SD2661T100 за ціною від 29.47 грн до 66.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD2661T100 2SD2661T100 Виробник : ROHM 2sd2661.pdf Description: ROHM - 2SD2661T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2661T100 2SD2661T100 Виробник : ROHM 2sd2661.pdf Description: ROHM - 2SD2661T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+66.93 грн
19+43.96 грн
100+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2661T100 2SD2661T100 Виробник : Rohm Semiconductor 2sd2661.pdf Description: TRANS NPN 12V 2A MPT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2661T100 2SD2661T100 Виробник : ROHM Semiconductor 2sd2661.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 12V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.