2SD2661T100 Rohm Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 602+ | 20.42 грн |
| 625+ | 19.68 грн |
| 1000+ | 19.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD2661T100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SD2661T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SD2661T100 за ціною від 30.45 грн до 69.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD2661T100 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - 2SD2661T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
2SD2661T100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SD2661T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
2SD2661T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 12V 2A MPT3 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
2SD2661T100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 12V 2A |
товару немає в наявності |