2SD2670TL

2SD2670TL Rohm Semiconductor


2sd2670-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 3A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
689+17.72 грн
715+17.08 грн
1000+16.53 грн
2500+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 689
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD2670TL Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 12V 3A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 360MHz, Supplier Device Package: TSMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SD2670TL за ціною від 15.07 грн до 60.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD2670TL 2SD2670TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SD2670&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 12V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.48 грн
10+36.17 грн
100+23.37 грн
500+16.74 грн
1000+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2670TL 2SD2670TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SD2670&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 12V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2670TL 2SD2670TL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SD2670&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 12V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.