Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SD2670TL
2SD2670TL

2SD2670TL Rohm Semiconductor

2sd2670-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 3A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
656+21.58 грн
680+20.80 грн
1000+20.12 грн
2500+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD2670TL Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 12V 3A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 360MHz, Supplier Device Package: TSMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SD2670TL за ціною від 14.67 грн до 58.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SD2670TL 2SD2670TL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SD2670&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 12V 3A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.89 грн
10+35.22 грн
100+22.75 грн
500+16.30 грн
1000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2670TL 2SD2670TL ROHM datasheet?p=2SD2670&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SD2670TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 3 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 270
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2670TL datasheet?p=2SD2670&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SD2670TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 12V 3A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.89 грн
10+35.22 грн
100+22.75 грн
500+16.30 грн
1000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2670TL datasheet?p=2SD2670&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SD2670TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SD2670TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 3 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 270
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.