на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 656+ | 18.89 грн |
| 680+ | 18.20 грн |
| 1000+ | 17.61 грн |
| 2500+ | 16.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD2670TL Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 12V 3A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 360MHz, Supplier Device Package: TSMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2SD2670TL за ціною від 15.46 грн до 62.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SD2670TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 12V 3A TSMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TSMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 5291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SD2670TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 12V 3A TSMT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TSMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
2SD2670TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 12V 3A |
товару немає в наявності |

