2SD734E onsemi
Виробник: onsemiDescription: 2SD734 - NPN EPITAXIAL PLANAR SI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 30260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1025+ | 21.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD734E onsemi
Description: 2SD734 - NPN EPITAXIAL PLANAR SI, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: 3-NP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 600 mW.
Інші пропозиції 2SD734E за ціною від 24.82 грн до 31.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD734E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD734E - 2SD734E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 30260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2SD734E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 20V 0.7A 600mW 3-Pin NP |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|