2SD734F onsemi
Виробник: onsemi
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 600 mW
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 39500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2219+ | 10.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD734F onsemi
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: 3-NP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 600 mW.
Інші пропозиції 2SD734F за ціною від 11.28 грн до 16.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD734F | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2SD734F - 2SD734F, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| 2SD734F | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 0.7A 600mW 3-Pin NP |
на замовлення 18500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| 2SD734F | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 0.7A 600mW 3-Pin NP |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| 2SD734F | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 0.7A 600mW 3-Pin NP |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|