2SD863F ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD863F - 2SD863F, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1886+ | 14.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD863F ONSEMI
Description: TRANS NPN 50V 1A 3-MP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: 3-MP, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 900 mW.
Інші пропозиції 2SD863F за ціною від 15.02 грн до 19.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD863F | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 1A 3-MP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 16940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| 2SD863F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 1A 900mW 3-Pin Case MP |
на замовлення 18940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|