Технічний опис 2SJ162-E Renesas
Description: MOSFET P-CH 160V 7A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V.
Інші пропозиції 2SJ162-E
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SJ162-E | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2SJ162-E | Виробник : Renesas Electronics |
![]() |
товару немає в наявності |