Технічний опис 2SJ355-T1-AZ NEC
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SC62, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SC-62, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V.
Інші пропозиції 2SJ355-T1-AZ
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SJ355-T1-AZ | Виробник : Renesas |
![]() |
товару немає в наявності |
|
2SJ355-T1-AZ | Виробник : Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SC-62 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |